功能描述：MOSFET N-CH 100V SIL3

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：128nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7110pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：294W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.8 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50

PSMN7R8-120ESQ

PSMN7R8-120PS

PSMN7R8-120PSQ

PSMN8R0-30YL

PSMN8R0-30YL,115

PSMN8R0-30YLC

PSMN8R0-30YLC,115

PSMN8R0-40BS

PSMN8R0-40BS,118

PSMN8R0-40PS